市场节能需求强劲，晶圆提高尺寸量产。

    台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥表示，该公司已在奥地利展开12寸晶圆量产研发工作，主要将用于超接合(SuperJunction)技术的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)等功率半导体元件的生产，一旦相关发展成熟后，将可移植至马来西亚的晶圆厂进行量产。
    继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后，在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计划，希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂，以因应市场持续高涨的节能需求，并巩固既有市场地位。
    台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥指出，超接面MOSFET将是未来功率半导体市场的主流。
    由于超接面MOSFET可较传统平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上实现更低的导通电阻与切换损失，进而提升每单位面积的功率密度，因此，在节能意识抬头的市场环境中，重要性与日俱增，产品渗透率也节节攀升。
    不过，与平面式MOSFET相比，目前超接面MOSFET产品价格仍偏高，所以英飞凌所推行的12寸晶圆量产计划，将有助进一步降低超接面MOSFET成本，为该市场的起飞预先作好准备。詹启祥分析，尽管目前传统平面式MOSFET的市场规模仍占大宗，但未来超接面MOSFET方案将会快速放量成长，两者将呈现明显的消长态势。
    位于奥地利菲拉赫(Villach)的英飞凌奥地利分公司，是英飞凌极为重要的研发和制造中心，规模仅次于德国总部与马来西亚分公司，专精于应用在汽车和工业暨多重市场的能源效率方案开发，并致力以低转换损失的功率半导体实现系统的微型化和高能效发展;此外，感测器和非接触式安全晶片亦是另一研发重点。
    据了解，英飞凌于2010年会计年度的研发费用高达3亿9,900万欧元，占总体营收比重的25%，较2009年会计年度的1亿9,500万欧元(占总营收约22%)大幅攀升。
    詹启祥强调，历经有线与无线事业部门的切割后，现今的英飞凌已处于最佳的发展状态，产品组合也更为聚焦，尤其是功率半导体、绝缘栅双极电晶体(IGBT)及碳化矽(SiC)萧特基二极体等方案，更是该公司最自豪的优势，对汽车和工业暨多重市场的拓展，将是莫大的助益。